Χαμηλή δίοδος 1N60P Schottky σημάτων VF μικρή με τη συσκευασία γυαλιού -35

Όλα τα Προϊόντα

Δίοδος θερμικών αντιστάσεων (17)

DIAC δίοδος ώθησης (13)

Δίοδος διορθωτών γενικού σκοπού (25)

Δίοδος Zener (31)

Παροδική δίοδος καταπιεστών τάσης TV (10)

δίοδος υψηλής τάσης (11)

Δίοδος SIDAC (10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (17)

εξαιρετικά γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (10)

δίοδος διορθωτών υψηλής αποδοτικότητας (10)

δίοδος μετατροπής υψηλής ταχύτητας (23)

Δίοδος Schottky φράγμα (39)

μικρή schottky δίοδος σημάτων (16)

Διορθωτής γεφυρών διόδων (22)

Θερμική αντίσταση NTC (16)

Είμαι Online Chat Now

Name: Χαμηλή δίοδος 1N60P Schottky σημάτων VF μικρή με τη συσκευασία γυαλιού -35
Brand: XUYANG
SKU: 1N60P

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

μέρος αριθμού:	1N60P	VR:	45V
συσκευασία:	-35	SPQ:	5000pcs
Αμόλυβδη θέση:	Αμόλυβδος/RoHS	Να στείλει κοντά:	Θάλασσα DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \
Υψηλό φως:	schottky diode smd , 1n914 blocking diode

-35 χαμηλή VF γυαλιού μικρή δίοδος 1N60 1N60P Schottky σημάτων συσκευασίας για την ανίχνευση

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

1. Υψηλή αξιοπιστία

2. Χαμηλή αντίστροφη τρέχουσα και χαμηλή μπροστινή τάση

Εφαρμογές

Χαμηλές τρέχουσες διόρθωση και μετατροπή υψηλής ταχύτητας

Κατασκευή

Κρυσταλλικός επίπεδος πυριτίου

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Tj=25℃

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Τύπος	Σύμβολο	Αξία	Μονάδα
Επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση		1N60	VRRM	40	Β
Επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση		1N60P	VRRM	45	Β
Μέγιστο μπροστινό ρεύμα κύματος	tp≦1 s	1N60	IFSM	150	μΑ
Μέγιστο μπροστινό ρεύμα κύματος	tp≦1 s	1N60P	IFSM	500	μΑ
Μπροστινό συνεχές ρεύμα	Ta=25℃	1N60	ΕΑΝ	30	μΑ
Μπροστινό συνεχές ρεύμα	Ta=25℃	1N60P	ΕΑΝ	50	μΑ
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης			Tstg	-65~+125	℃

Μέγιστη θερμική αντίσταση

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Σύμβολο	Αξία	Μονάδα
Σύνδεση περιβαλλοντική	στον πίνακα 50mm×50mm×1.6mm PC	RthJA	250	K/W

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Τύπος	Σύμβολο	Λ.	Τύπος	Max	Μονάδα
Μπροστινή τάση	IF=1mA	1N60	VF		0,32	0,5	Β
	IF=1mA	1N60P	VF		0,24	0,5	Β
	IF=30mA	1N60	VF		0,65	1.0	Β
	IF=200mA	1N60P	VF		0,65	1.0	Β
Αντίστροφο ρεύμα	VR=15V	1N60	IR		1	5	μA
Αντίστροφο ρεύμα	VR=15V	1N60P	IR		5	10	μA
Ικανότητα συνδέσεων	VR=1V, f=1MHz	1N60	CJ			2.0	pF
Ικανότητα συνδέσεων	VR=10V, f=1MHz	1N60P	CJ			6.0	pF
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης	IF=IR=1mA Irr=1mA RC=100;		trr			1.0	NS