Αρχική Σελίδα Προϊόντα Δίοδος θερμικών αντιστάσεων

2 δίοδος 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF θερμικών αντιστάσεων διορθωτών Χ 5A Schottky

Όλα τα Προϊόντα

Δίοδος θερμικών αντιστάσεων (17)

DIAC δίοδος ώθησης (13)

Δίοδος διορθωτών γενικού σκοπού (25)

Δίοδος Zener (31)

Παροδική δίοδος καταπιεστών τάσης TV (10)

δίοδος υψηλής τάσης (11)

Δίοδος SIDAC (10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (17)

εξαιρετικά γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (10)

δίοδος διορθωτών υψηλής αποδοτικότητας (10)

δίοδος μετατροπής υψηλής ταχύτητας (23)

Δίοδος Schottky φράγμα (39)

μικρή schottky δίοδος σημάτων (16)

Διορθωτής γεφυρών διόδων (22)

Θερμική αντίσταση NTC (16)

Κίνα Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Πιστοποιήσεις

Είμαι Online Chat Now

2 δίοδος 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF θερμικών αντιστάσεων διορθωτών Χ 5A Schottky

Μεγάλες Εικόνας : 2 δίοδος 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF θερμικών αντιστάσεων διορθωτών Χ 5A Schottky

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Κίνα
Μάρκα:	XUYANG
Πιστοποίηση:	ISO9001/RoHS
Αριθμό μοντέλου:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1000pcs
Τιμή:	negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες:	όγκος στο φραγμό
Χρόνος παράδοσης:	15 - 20 ημέρες εργασίας
Όροι πληρωμής:	Μ / Τ, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς:	100000pcs ανά 1 εβδομάδα

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

όνομα:	Δίοδος Schottky	μέρος αριθμού:	10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF
Εάν:	2 Χ 5A	Τάση:	150V
συσκευασία:	D2PAK/-262	Θερμοκρασία συνδέσεων:	-55-175°C
Υψηλό φως:	silicon rectifier diode , silicon zener diode

MOSFET διόδων 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF διορθωτών 10A Schottky κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ

• λειτουργία 175 °C TJ
• Διαμόρφωση κεντρικών βρυσών
• Χαμηλή μπροστινή πτώση τάσης
• Λειτουργία υψηλής συχνότητας
• Υψηλή αγνότητα, υψηλής θερμοκρασίας εποξική ενθυλάκωση για την ενισχυμένη μηχανική δύναμη και

αντίσταση υγρασίας
• Δαχτυλίδι φρουράς για την ενισχυμένη τραχύτητα και τη μακροπρόθεσμη αξιοπιστία
• Μόλυβδος (PB) - ελεύθερο (επίθημα «PbF»)
• Σχεδιασμένος και κατάλληλος για το βιομηχανικό επίπεδο

ΣΗΜΑΝΤΙΚΑ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
ΣΥΜΒΟΛΟ	ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ	ΤΙΜΕΣ	ΜΟΝΑΔΕΣ
ΕΑΝ (AV)	Ορθογώνιο κυματοειδές	10	Α
VRRM		150	Β
IFSM	tp = ημίτονο 5 μs	620	Α
VF	5 Apk, TJ = 125 °C (ανά πόδι)	0,73	Β
TJ	Σειρά	- 55 έως 175	°C

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ	ΣΥΜΒΟΛΟ	ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ		ΤΙΜΕΣ	ΜΟΝΑΔΕΣ
Μέγιστος μέσος όρος ανά πόδι μπροστινό ρεύμα ανά συσκευή	ΕΑΝ (AV)	κύκλος καθήκοντος 50% TC = 155 °C, ορθογώνιο κυματοειδές		5	Α
				10
Μέγιστος μέγιστος μη επαναληπτικό ρεύμα κύματος κύκλων ανά πόδι	IFSM	5 μs ημίτονο ή 3 μs rect. σφυγμός	Μετά από οποιοδήποτε εκτιμημένο φορτίο όρος και με εκτιμημένος VRRM που εφαρμόζεται	620	Α
		ημίτονο κας 10 ή κα 6 rect. σφυγμός		115
Μη επαναληπτική ενέργεια χιονοστιβάδων ανά πόδι	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1 Α, Λ = 10 mH		5	MJ
Επαναλαμβανόμενο ρεύμα χιονοστιβάδων ανά πόδι	IAR	Ρεύμα που αποσυντίθεται γραμμικά σε μηδέν σε 1 μs Συχνότητα που περιορίζεται από TJ μέγιστο VA = 1,5 Χ VR χαρακτηριστικά		1	Α

ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ	ΣΥΜΒΟΛΟ	ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ		ΤΙΜΕΣ	ΜΟΝΑΔΕΣ
Μέγιστη μπροστινή πτώση τάσης ανά πόδι	VFM⁽¹⁾	5 Α	TJ = 25 °C	0,93	Β
		10 Α	TJ = 25 °C	1.10
		5 Α	TJ = 125 °C	0,73
		10 Α	TJ = 125 °C	0,86
Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα διαρροής ανά πόδι	IRM⁽¹⁾	TJ = 25 °C	VR = εκτιμημένο VR	0,05	μΑ
Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα διαρροής ανά πόδι	IRM⁽¹⁾	TJ = 125 °C	VR = εκτιμημένο VR	7	μΑ
Τάση κατώτατων ορίων	VF ()	TJ = μέγιστο TJ		0,468	Β
Μπροστινή αντίσταση κλίσεων	rt	TJ = μέγιστο TJ		28	mΩ
Μέγιστη ικανότητα συνδέσεων ανά πόδι	CT	VR = 5 VDC (σειρά 100 σημάτων δοκιμής kHz σε 1 MHZ) 25 °C		200	pF
Χαρακτηριστική σειρά αυτεπαγωγής ανά πόδι	LS	Μετρημένος μόλυβδος για να οδηγήσει 5 χιλ. από το σώμα συσκευασίας		8.0	NH
Μέγιστο ποσοστό τάσης αλλαγής	dV/dt	Εκτιμημένο VR		10 000	V/μs

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ		ΣΥΜΒΟΛΟ	ΟΡΟΙ ΔΟΚΙΜΗΣ	ΤΙΜΕΣ
Μέγιστη σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης		TJ, TStg		- 55 έως 175
Μέγιστη θερμική αντίσταση, σύνδεση στην περίπτωση ανά πόδι		RthJC	ΣΥΝΕΧΗΣ λειτουργία	3.50
Μέγιστη θερμική αντίσταση, σύνδεση στην περίπτωση ανά συσκευασία				1.75
Χαρακτηριστική θερμική αντίσταση, περίπτωση στο heatsink (μόνο για -220)		RthCS	Τοποθετώντας επιφάνεια, ομαλός και λιπαμένος	0,50
Κατά προσέγγιση βάρος				2
Κατά προσέγγιση βάρος				0,07
Τοποθετώντας ροπή	ελάχιστος			6 (5)
	μέγιστος			12 (10)
Χαρακτηρισμός της συσκευής			Ύφος D2PAK περίπτωσης	10CTQ150S
			Ύφος -262 περίπτωσης	10ctq150-1

Μέγεθος:

2 δίοδος 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF θερμικών αντιστάσεων διορθωτών Χ 5A Schottky 0

2 δίοδος 10CTQ150SPBF 10CTQ150PBF θερμικών αντιστάσεων διορθωτών Χ 5A Schottky 1

Τι μπορεί εσείς από XUYANG;

Καλύτερη υπηρεσία: με 10 έτη η εμπειρία στο εξάγον προσωπικό πωλήσεων θα σας συντηρήσει.

Υψηλός - ποιότητα: βοήθεια εσείς για να αποφύγει τον κίνδυνο.

Σύντομη παράδοση: βοήθεια εσείς για να κερδίσει χρόνο.

Ανταγωνιστική τιμή: η τιμή δεν είναι η χαμηλότερη αλλά υψηλότερη απόδοση δαπανών

OEM/ODM: είμαστε βέβαιοι ότι μπορούμε να σας συναντήσουμε απαιτήσεις OEM/ODm.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Bixia Wu

Άλλα προϊόντα

Η επιφάνεια τοποθετεί τη δίοδο θερμικών αντιστάσεων, δίοδος 1SMB5913BT3G Zener πυριτίου - 1SMB5956BT3G

μέρος αριθμού: 1SMB5913BT3G - 1SMB5956BT3G
Εξουσία: 3W
Τάση: 3.3-200V
Υπόθεση: SMB/-214AA

35V γρήγορη δίοδος μετατροπής, Varactor ΕΜΒΥΘΙΣΗΣ πιστοποιητικό διόδων 1SS265 ISO9001

όνομα: Varactor δίοδος
μέρος αριθμού: 1SS265
VR: 35V
συσκευασία: -34

δίοδος Smd 2.4-75V 0.5W ZMM5221B-ZMM5267B Zener

Αριθμός μερών: ZMM5221B-ZMM5267B
Δύναμη: 0.5W
Τάση: 2.4-75V
Συσκευασία: Γρασίδι-80

0.5W η μικρή επιφάνεια τοποθετεί τη δίοδο Zener σώζοντας διαστημικό BZM55C2V0 - BZM55C75

μέρος αριθμού: BZM55C2V0 - BZM55C75
Τάση: 2.0-75V
Εξουσία: 0.5W
Ανοχή: ±5%

1N4001G-1N4007G δίοδος θερμικών αντιστάσεων διορθωτών με την υψηλής τάσης ικανότητα

Όνομα Προϊόντος: 1N4001G-1N4007G
Τρέχουσα: 1A
Τάση: 50-1000V
συσκευασία: -41