η επιφάνεια 1A 1600V τοποθετεί τη δίοδο DS1T διορθωτών γενικού σκοπού με SOD123FL

Όλα τα Προϊόντα

Δίοδος θερμικών αντιστάσεων (17)

DIAC δίοδος ώθησης (13)

Δίοδος διορθωτών γενικού σκοπού (25)

Δίοδος Zener (31)

Παροδική δίοδος καταπιεστών τάσης TV (10)

δίοδος υψηλής τάσης (11)

Δίοδος SIDAC (10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (17)

εξαιρετικά γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (10)

δίοδος διορθωτών υψηλής αποδοτικότητας (10)

δίοδος μετατροπής υψηλής ταχύτητας (23)

Δίοδος Schottky φράγμα (39)

μικρή schottky δίοδος σημάτων (16)

Διορθωτής γεφυρών διόδων (22)

Θερμική αντίσταση NTC (16)

Καλύτερα προϊόντα

Δίοδος διορθωτών SOD123FL SMD

Είμαι Online Chat Now

Name: η επιφάνεια 1A 1600V τοποθετεί τη δίοδο DS1T διορθωτών γενικού σκοπού με SOD123FL
Brand: XUYANG
SKU: DS1T

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

Όνομα προϊόντων:	DS1T	τρέχων:	1A
Τάση:	1600V	Συσκευασία:	SOD123FL
Συσκευασία:	Ταινία στο εξέλικτρο	SPQ:	5000pcs
Υψηλό φως:	fast recovery rectifier diode , smd rectifier diode

Χαρακτηριστικό γνώρισμα

* Χαμηλή αντίστροφη διαρροή

* Υψηλό μπροστινό ρεύμα κύματος

* Υψηλή αξιοπιστία

* Υψηλής θερμοκρασίας συγκόλληση που εγγυάται: 260℃/10 δευτερόλεπτα

* Μόλυβδος και σώμα που συμφωνούν με τα πρότυπα RoHS

Μηχανικά στοιχεία

* Περίπτωση: SOD123FL φορμαρισμένο πλαστικό

* Εποξικός: Φλόγα ποσοστού UL 94V-0 - καθυστερών

* Μόλυβδος: Κασσίτερος που καλύπτεται καθαρός, αμόλυβδος

ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΗΛΕΚΤΡΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Εκτιμήσεις στην περιβαλλοντική θερμοκρασία 25℃ εκτός αν ορίζεται διαφορετικά.

Παράμετρος		Σύμβολα	DS1T	Μονάδα
Μέγιστη επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση		VRRM	1600	Β
Μέγιστη τάση RMS		VRMS	1120	Β
Μέγιστη τάση ΣΥΝΕΧΟΥΣ φραξίματος		VDC	1600	Β
Μέγιστο μέσο προς τα εμπρός αποκατεστημένο ρεύμα		ΕΑΝ (AV)	1.0	Α
Μη επαναληπτικό μέγιστο μπροστινό ρεύμα κύματος 8.3 ημίτονο-κύμα κας singlehalf		IFSM	25	Α
@IF=1.0A Το μέγιστο διαβιβάζει την τάση		VF	1.3	Β
@VDC Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα	TA= 25℃	IR	5	μA
@VDC Μέγιστο αντίστροφο ρεύμα	TA= 125℃	IR	100
Χαρακτηριστική θερμική αντίσταση (σημείωση 1)		RθJA	85	℃/W
VR=4.0V, f=1MHz Ικανότητα συνδέσεων τύπων		Cj	12	pF
Η λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων και αποθήκευσης χτύπησε		Tj, TSTG	-55 - +150	℃